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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.1
17.4
写入速度,GB/s
7.8
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3385
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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