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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.1
18.3
写入速度,GB/s
7.8
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3584
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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