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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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规格
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.1
16.5
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2891
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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