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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.1
22.2
写入速度,GB/s
7.8
17.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3871
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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