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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.1
16.2
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2971
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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