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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.1
18.3
写入速度,GB/s
7.8
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3555
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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