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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 49
    左右 -69% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.9 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.9 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 17.9
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 15.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 3501

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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内存RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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内存RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
内存RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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内存RAM