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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

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差异

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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 49
    左右 -88% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.1 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 18.1
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 3061

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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内存RAM