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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
49
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
45
读取速度,GB/s
10.1
14.2
写入速度,GB/s
7.8
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2477
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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