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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
101
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
101
读取速度,GB/s
10.1
14.5
写入速度,GB/s
7.8
6.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1369
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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