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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
10.1
12.4
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2073
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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