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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.1
16.9
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3093
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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