RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston KYXC0V-MIH 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.1
14.0
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2365
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link