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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
55
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
55
读取速度,GB/s
10.1
16.0
写入速度,GB/s
7.8
12.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2699
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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