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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
74
左右 34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
74
读取速度,GB/s
10.1
13.6
写入速度,GB/s
7.8
7.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1616
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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