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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

总分
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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

总分
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Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    47 left arrow 59
    左右 20% 更低的延时
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.5 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.6 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 59
  • 读取速度，GB/s
    10.2 left arrow 12.5
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 12.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2182 left arrow 2764

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kllisre 0000 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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内存RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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内存RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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