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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
10.2
17.3
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
3359
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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