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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
7.3
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3157
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
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