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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.4
18.5
写入速度,GB/s
7.8
17.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3905
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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