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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

总分
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

总分
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB 需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 47
    左右 -147% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.6 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    10.4 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2169 left arrow 2845

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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