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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
23.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
23.7
写入速度,GB/s
7.8
18.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
4124
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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