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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
10.4
17.4
写入速度,GB/s
7.8
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3527
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
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A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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