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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
47
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
20
读取速度,GB/s
10.4
18.4
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3426
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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