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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
10.4
18.1
写入速度,GB/s
7.8
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3010
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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