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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

总分
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

总分
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Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 47
    左右 -124% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    10.4 left arrow 19.1
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2169 left arrow 3264

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
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SK Hynix Kingston 4GB
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