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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
19.5
写入速度,GB/s
7.8
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3798
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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