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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
47
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
45
读取速度,GB/s
10.4
14.9
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3177
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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