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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
16.4
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3336
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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