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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.4
19.0
写入速度,GB/s
7.8
16.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3827
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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