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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
18.0
写入速度,GB/s
7.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3637
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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