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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
14.8
写入速度,GB/s
7.8
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2566
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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