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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
17.6
写入速度,GB/s
7.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3446
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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