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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
17.5
写入速度,GB/s
7.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3317
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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