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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
43
读取速度,GB/s
10.4
16.7
写入速度,GB/s
7.8
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2430
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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