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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
18.2
写入速度,GB/s
7.8
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3389
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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