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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
89
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
89
读取速度,GB/s
10.4
13.6
写入速度,GB/s
7.8
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1518
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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