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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
10.4
16.3
写入速度,GB/s
7.8
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2937
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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