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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
15.8
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2905
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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