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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
51
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
51
读取速度,GB/s
10.4
16.1
写入速度,GB/s
7.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2778
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
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