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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
47
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
40
读取速度,GB/s
10.4
14.8
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2786
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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