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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

总分
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 47
    左右 -81% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    10.4 left arrow 14.1
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2169 left arrow 2359

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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