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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
15.3
写入速度,GB/s
7.8
10.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2559
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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