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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
10.4
15.9
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2994
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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