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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
10.4
18.7
写入速度,GB/s
7.8
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3380
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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