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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.4
17.1
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2960
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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