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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
10.4
18.3
写入速度,GB/s
7.8
15.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3899
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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