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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
10.4
14.6
写入速度,GB/s
7.8
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2320
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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