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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
10.4
17.1
写入速度,GB/s
7.8
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3123
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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