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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
16.2
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3242
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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