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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
14.8
写入速度,GB/s
7.8
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2014
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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